Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 25 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 348-987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
13,98 €
(ohne MwSt.)
16,635 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,796 € | 13,98 € |
| 50 - 95 | 2,656 € | 13,28 € |
| 100 - 495 | 2,458 € | 12,29 € |
| 500 - 995 | 2,264 € | 11,32 € |
| 1000 + | 2,182 € | 10,91 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-987
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPA | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode (CFD) für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit.
Signifikante Reduzierung der Schalt- und Leitungsverluste
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Verwandte Links
- Infineon IPP65R190CFD7A Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO220-3