Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
273-5359
Herst. Teile-Nr.:
ISZ019N03L5SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ISZ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS

Der Infineon Power MOSFET ist ein optimierter Buck-Wandler mit hoher Leistung. Dieser Leistungs-MOSFET hat eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand und ist gemäß JEDEC-Standard qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Überlegene Wärmebeständigkeit

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