Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 18 A, 3-Pin PG-TO220

Infineons MOSFET der Cool-MOS-Plattform der 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies eingeführt wurde. Die 600 V Cool MOS P7-Serie ist der Nachfolger der Cool MOS P6-Serie. Das Produkt kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr geringer Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste die Anwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler.

Benutzerfreundlichkeit
Hervorragende ESD-Robustheit
Vereinfachtes Wärmemanagement
Deutliche Reduzierung des Schaltaufwands
Geeignet für hartes und weiches Schalten