Infineon SPP18P06P-H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.7 A 81.1 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-7552
Herst. Teile-Nr.:
SPP18P06PHXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-18.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

SPP18P06P-H

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.13Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.33V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS

Höhe

1.5mm

Breite

40 mm

Länge

40mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET für kleine Signale. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Das Produkt ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Avalanche rated

Enhancement mode

Pb free lead finishing

Qualifiziert nach AEC Q101

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