STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 86 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
STP80N600K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

STP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

86W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

28.9mm

Höhe

4.6mm

Breite

10.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist das beste in der Klasse hinsichtlich des Widerstands pro Fläche und der Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Lawinengeprüft

Zenergeschützt

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