Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

336,00 €

(ohne MwSt.)

399,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,112 €336,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
279-9890
Herst. Teile-Nr.:
SI1480BDH-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SI

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.212Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

Verwandte Links