Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 34.4 A 26.5 W, 8-Pin 1212-8

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RS Best.-Nr.:
279-9983
Herst. Teile-Nr.:
SISH107DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

1212-8

Serie

SISH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.014Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

26.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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