Vishay SiSHA14DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-4899
Herst. Teile-Nr.:
SiSHA14DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

26.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.93mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

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