Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 19.8 W, 8-Pin SISS4410DN-T1-GE3 1212-8

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Herst. Teile-Nr.:
SISS4410DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

19.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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