Vishay N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 20 A 280 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 281-6032
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-16-940
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP460LCPBF
- Marke:
- Vishay
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| 1 - 49 | 7,80 € |
| 50 - 99 | 6,67 € |
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| 250 - 499 | 6,32 € |
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- 171-16-940
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- IRFP460LCPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.27Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 280W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 14.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.27Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 280W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 14.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Leistungs-MOSFETs von Vishay bieten deutlich niedrigere Gate-Ladungen als herkömmliche MOSFETs. Diese Verbesserungen verringern die Gate-Antriebsanforderungen, beschleunigen das Schalten und erhöhen Systemersparnisse und setzen einen neuen Standard in Leistungstransistoren für Schaltanwendungen.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Reduzierter Gate-Antriebsbedarf
Isolierte zentrale Montagebohrung