Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 124-9012
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3206PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247

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125 - 225	1,953 €	48,83 €
250 - 475	1,807 €	45,18 €
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RS Best.-Nr.:: 124-9012
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3206PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	200A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	280W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	120nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.87mm
	Breite	5.31 mm
	Höhe	20.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 280W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.87mm
	Breite 5.31 mm
	Höhe 20.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

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