Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 688-6989
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3206PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,865 €

(ohne MwSt.)

3,409 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,865 €	5,73 €
20 - 48	2,495 €	4,99 €
50 - 98	2,32 €	4,64 €
100 - 198	2,175 €	4,35 €
200 +	2,005 €	4,01 €

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RS Best.-Nr.:: 688-6989
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3206PBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	200 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	280 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	120 nC @ 10 V
Breite	5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.87mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	20.7mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C