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    Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

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    2 - 182,865 €5,73 €
    20 - 482,495 €4,99 €
    50 - 982,32 €4,64 €
    100 - 1982,175 €4,35 €
    200 +2,005 €4,01 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    688-6989
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFP3206PBF
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.200 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTO-247AC
    SerieHEXFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.3 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.280 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs120 nC @ 10 V
    Breite5.31mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge15.87mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Höhe20.7mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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