STMicroelectronics STW65N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 312 W, 3-Pin STW65N045M9-4

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RS Best.-Nr.:
287-7053
Herst. Teile-Nr.:
STW65N045M9-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STW65N

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativen Super Junction MDmesh M9-Technologie. Die auf Silizium basierende M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bausteinstruktur ermöglicht. Das Ergebnis ist ein Produkt mit einem der niedrigsten Durchlasswiderstände und reduzierten Gate-Ladungswerten unter allen schnell schaltenden Super Junction Power MOSFETs auf Siliziumbasis, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Hervorragendes Schaltverhalten

Einfache Ansteuerung

100 Prozent Avalanche getestet

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