Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 104 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 543-1544
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-84-081
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL2505PBF
- Marke:
- Infineon
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- 302-84-081
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- IRL2505PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 104A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | LogicFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie LogicFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon LogicFET Serie MOSFET, 104A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRL2505PBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Energiemanagement erfordern. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 104 A und einer Drain-Source-Spannung von bis zu 55 V ist er eine wettbewerbsfähige Option auf dem Markt. Dank seiner robusten Bauweise und fortschrittlichen Spezifikationen eignet er sich für verschiedene Automatisierungs- und Elektronikanwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand von 8mΩ reduziert die Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 200 W erhöht die Leistung
• Durchgangslochmontage ermöglicht einfachere Integration
• Niedrige Gate Charge-Anforderungen verbessern die betriebliche Effizienz
• Das Design des Enhancement-Modus gewährleistet Leistung unter schwierigen Bedingungen
Anwendungsbereich
• Umschalten der Leistung für eine wirksame Kontrolle
• Motorantriebsschaltungen für Drehzahl- und Drehmomentregelung
• Automatisierte Systeme, die ein hohes Strommanagement erfordern
• Stromversorgungen und Umwandlungsschaltungen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung
• Industriemaschinen für eine verbesserte Leistungsaufnahme
Wie hoch ist die Schwellenspannung des Gates für die Verwendung?
Die Gate-Schwellenspannung liegt zwischen 1V und 2V und bietet somit Flexibilität für verschiedene Anwendungen.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?
Dieses Gerät kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und eignet sich somit für raue Umgebungsbedingungen.
Kann es mit gepulstem Strom betrieben werden?
Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 360 A bewältigen und gewährleistet damit Zuverlässigkeit bei Kurzzeitanwendungen.
Welcher Spannungspegel kann über die Drain-Source verwaltet werden?
Er unterstützt eine maximale Spannung von 55 V, die für die meisten allgemeinen Anwendungen ideal ist.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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