Infineon LogicFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Dieser N-Kanal-MOSFET ist für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen vorgesehen und verfügt über einen niedrigen Rds(on), wodurch er sich für verschiedene elektronische und mechanische Systeme eignet. Durch fortschrittliche Verarbeitungstechniken bietet es außergewöhnliche Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C. Das Bauteil ist in der Lage, eine hohe Verlustleistung zu unterstützen, was es zu einem wesentlichen Element in Automatisierungs- und Industrieanwendungen macht.

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamtleistung des Systems

• Verwendung in Stromversorgungsschaltungen und Motorsteuerung

Der maximale kontinuierliche Drainstrom beträgt 140 A bei 25 °C und sinkt unter Standardbedingungen auf 98 A bei 100 °C.

Er weist einen geringen Wärmewiderstand auf, der eine Verlustleistung von bis zu 200 W mit einem linearen Derating-Faktor von 1,3 W/°C ermöglicht.

Der Anreicherungsmodus ermöglicht einen Betrieb ohne nennenswerte Gatespannung, was eine effiziente Kontrolle des Schaltmechanismus ermöglicht, was für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch unerlässlich ist.

Er bietet einen Gate-Source-Spannungsbereich von ±16 V und eine maximale Drain-Source-Durchbruchsspannung von 30 V, was die Vielseitigkeit der Schaltungsdesigns erhöht.

Ja, er arbeitet auch unter extremen Bedingungen effizient, mit einer Sperrschichttemperatur von bis zu +175°C.