Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Dieser N-Kanal-MOSFET ist für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen vorgesehen und verfügt über einen niedrigen Rds(on), wodurch er sich für verschiedene elektronische und mechanische Systeme eignet. Durch fortschrittliche Verarbeitungstechniken bietet es außergewöhnliche Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C. Das Bauteil ist in der Lage, eine hohe Verlustleistung zu unterstützen, was es zu einem wesentlichen Element in Automatisierungs- und Industrieanwendungen macht.

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamtleistung des Systems
• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 140 A für verschiedene Anwendungen
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand reduziert die Verlustleistung
• Zweifache Gate-Source-Spannungswerte bieten Designflexibilität
• Vollständig lawinengeprüft, um die Leistung auch unter Belastung aufrechtzuerhalten
• Effizientes Wärmemanagement mit TO-220AB-Gehäusedesign

• Verwendung in Stromversorgungsschaltungen und Motorsteuerung
• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die Zuverlässigkeit erfordern
• Anwendung in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte
• Fit für das System der erneuerbaren Energien

Der maximale kontinuierliche Drainstrom beträgt 140 A bei 25 °C und sinkt unter Standardbedingungen auf 98 A bei 100 °C.

Er weist einen geringen Wärmewiderstand auf, der eine Verlustleistung von bis zu 200 W mit einem linearen Derating-Faktor von 1,3 W/°C ermöglicht.

Der Anreicherungsmodus ermöglicht einen Betrieb ohne nennenswerte Gatespannung, was eine effiziente Kontrolle des Schaltmechanismus ermöglicht, was für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch unerlässlich ist.

Er bietet einen Gate-Source-Spannungsbereich von ±16 V und eine maximale Drain-Source-Durchbruchsspannung von 30 V, was die Vielseitigkeit der Schaltungsdesigns erhöht.

Ja, er arbeitet auch unter extremen Bedingungen effizient, mit einer Sperrschichttemperatur von bis zu +175°C.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.