Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 10 A 48 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
919-4870
Herst. Teile-Nr.:
IRL520NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

LogicFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

180 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

48 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 5 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

8.77mm

Ursprungsland:
CN

Infineon LogicFET Serie MOSFET, 10A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRL520NPBF


Dieser MOSFET ist für verschiedene Hochleistungsanwendungen konzipiert. Durch seine N-Kanal-Konfiguration und die Fähigkeit zum Anreicherungsmodus eignet er sich für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Automatisierungs- und Elektrobranche. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 10 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V bietet er eine konstante Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp ermöglicht ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Einbausituationen.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Verlustleistung von 48 W für robuste Leistung

• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 180 mΩ verbessert den Wirkungsgrad

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet Zuverlässigkeit

• Geeignet für die Durchsteckmontage, was eine einfache Integration ermöglicht

• Verbesserte Gate-Schwellenspannung zwischen 1V und 2V optimiert die Steuerung

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht Entwurf und Montage

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Spannungsregelung

• Wird aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit in Motorsteuerungen eingesetzt

• Einsetzbar in der industriellen Automatisierung für effektive Schaltvorgänge

• Integriert in Power-Management-Lösungen für energieeffiziente Designs

Welche Art der Kühlung wird für eine optimale Leistung empfohlen?


Eine wirksame Kühlung ist unerlässlich, um die Betriebseffizienz aufrechtzuerhalten und eine Überhitzung zu vermeiden, insbesondere bei hoher Belastung.

Kann er direkt durch andere MOSFETs ersetzt werden?


Auch wenn ein direkter Ersatz möglich ist, müssen Spezifikationen wie Strom- und Spannungswerte sowie die Anforderungen an den Gate-Antrieb berücksichtigt werden, um Kompatibilität und Funktionalität zu gewährleisten.

Was ist die empfohlene maximale Gate-Source-Spannung?


Die maximale Gate-Source-Spannung sollte -16V bis +16V nicht überschreiten, um Schäden am Gerät zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Wie sollte ich diesen MOSFET beim Einbau behandeln?


Treffen Sie Vorkehrungen gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sorgen Sie für sichere Verbindungen, um Ausfälle oder intermittierenden Betrieb nach der Installation in einem Schaltkreis zu vermeiden.

Ist es für Hochfrequenzanwendungen geeignet?


Dieser MOSFET eignet sich für Schaltanwendungen, doch sollte auf die Gate-Ansteuerungsgeschwindigkeit und die Lastbedingungen geachtet werden, um Leistungseinbußen bei höheren Frequenzen zu vermeiden.

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