Infineon LogicFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 104 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 913-3869
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL2505PBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 104 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Serie | LogicFET | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 130 nC @ 5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 104 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Serie LogicFET | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 130 nC @ 5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 8.77mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon LogicFET Serie MOSFET, 104A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRL2505PBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Energiemanagement erfordern. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 104 A und einer Drain-Source-Spannung von bis zu 55 V ist er eine wettbewerbsfähige Option auf dem Markt. Dank seiner robusten Bauweise und fortschrittlichen Spezifikationen eignet er sich für verschiedene Automatisierungs- und Elektronikanwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand von 8mΩ reduziert die Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 200 W erhöht die Leistung
• Durchgangslochmontage ermöglicht einfachere Integration
• Niedrige Gate Charge-Anforderungen verbessern die betriebliche Effizienz
• Das Design des Enhancement-Modus gewährleistet Leistung unter schwierigen Bedingungen
Anwendungsbereich
• Umschalten der Leistung für eine wirksame Kontrolle
• Motorantriebsschaltungen für Drehzahl- und Drehmomentregelung
• Automatisierte Systeme, die ein hohes Strommanagement erfordern
• Stromversorgungen und Umwandlungsschaltungen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung
• Industriemaschinen für eine verbesserte Leistungsaufnahme
Wie hoch ist die Schwellenspannung des Gates für die Verwendung?
Die Gate-Schwellenspannung liegt zwischen 1V und 2V und bietet somit Flexibilität für verschiedene Anwendungen.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?
Dieses Gerät kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und eignet sich somit für raue Umgebungsbedingungen.
Kann es mit gepulstem Strom betrieben werden?
Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 360 A bewältigen und gewährleistet damit Zuverlässigkeit bei Kurzzeitanwendungen.
Welcher Spannungspegel kann über die Drain-Source verwaltet werden?
Er unterstützt eine maximale Spannung von 55 V, die für die meisten allgemeinen Anwendungen ideal ist.
Ist bei der Installation eine besondere Handhabung erforderlich?
Es sollten die üblichen Vorsichtsmaßnahmen beachtet werden, wie z. B. die Vermeidung von übermäßiger Hitze beim Löten und die Aufrechterhaltung einer geeigneten Betriebsumgebung, um die Langlebigkeit zu gewährleisten.
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