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    Infineon HEXFET IRFP90N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247AC

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    639-1857
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFP90N20DPBF
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.94 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    GehäusegrößeTO-247AC
    SerieHEXFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.23 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.5V
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.580 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Länge15.9mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs180 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite5.3mm
    Höhe20.3mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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