Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IRFP90N20DPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

94A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

580W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.9mm

Höhe

20.3mm

Automobilstandard

Nein

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