onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 8.9 A 2.5 W, 8-Pin FDS3572 SOIC

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RS Best.-Nr.:
671-0485
Herst. Teile-Nr.:
FDS3572
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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