onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 3 W, 3-Pin SOT-223

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671-0781
Herst. Teile-Nr.:
FDT439N
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.072Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.56 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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