Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
671-0936
Herst. Teile-Nr.:
FQD10N20CTM
Marke:
Fairchild Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Fairchild Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,8 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK

Serie

QFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

360 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

50 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Breite

6.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links