N-Kanal MOSFET BS170, 60 V, 500 mA, 5 Ω, TO-92 3-Pin, 830 mW Si

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, Fairchild Semiconductor

Fairchild bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten einschließlich Hochspannungs- (>250 V) und Niederspannungsausführungen (<250 V). Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
MOSFETs von Fairchild bieten die Zuverlässigkeit eines überlegenen Designs, von reduzierten Spannungsspitzen und Übersteuerungen, über Sperrschichten mit niedrigerer Kapazität und Umkehr-Erholungsladungen bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externe Komponenten zur Aufrechterhaltung von Systemen und längeren Laufzeiten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 500 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 830 mW
Abmessungen 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Breite 4.19mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Eingangskapazität typ. @ Vds 24 pF @ 10 V
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 5.2mm
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