BS170 N-Kanal MOSFET, 60 V / 500 mA, 830 mW, TO-92 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 500 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 830 mW
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 5.2mm
Breite 4.19mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
1990 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
4810 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
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Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90
0,255 €
2,55 €
100 - 490
0,114 €
1,14 €
500 - 990
0,109 €
1,09 €
1000 - 4990
0,088 €
0,88 €
5000 +
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0,79 €
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