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    Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB

    Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

    1,462 €

    (ohne MwSt.)

    1,74 €

    (inkl. MwSt.)

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    Pro Packung*
    5 - 451,462 €7,31 €
    50 - 1201,316 €6,58 €
    125 - 2451,228 €6,14 €
    250 - 4951,14 €5,70 €
    500 +1,068 €5,34 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    688-6939
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFB4020PBF
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.18 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    SerieHEXFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.100 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4.9V
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.100 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs18 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite4.82mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.66mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe9.02mm

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