BSS138LT3G N-Kanal MOSFET, 50 V / 200 mA, 225 mW, SOT-23 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 50V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 200 mA
Drain-Source-Spannung max. 50 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V
Verlustleistung max. 225 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 1.3mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 0.94mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2.9mm
500 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
4400 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
0,151
(ohne MwSt.)
0,18
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 225
0,151 €
3,775 €
250 - 1225
0,04 €
1,00 €
1250 - 2475
0,04 €
1,00 €
2500 - 12475
0,038 €
0,95 €
12500 +
0,038 €
0,95 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: