Vishay P-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 8.8 A 2500 mW, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
708-4853
Herst. Teile-Nr.:
IRFU9024PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

8.8 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

IPAK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

280 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2500 mW

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Breite

2.39mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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