Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
760-4413
Herst. Teile-Nr.:
IRL6342PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,9 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

19 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5mm

Breite

4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

11 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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