Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 262-6739
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7503TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,219 € | 876,00 € |
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- 262-6739
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7503TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 222mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 222mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie hat die kleinste Abmessung, was sie ideal für Anwendungen macht, bei denen der Platz auf der Leiterplatte besonders wichtig ist.
Extrem niedriger Widerstand
Erhältlich als Band und Rolle
Sehr kleines SOIC-Gehäuse
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