Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-8838
Herst. Teile-Nr.:
IRF7201TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,3 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 7,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7201TRPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für effizientes Schalten in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dank der fortschrittlichen HEXFET-Technologie bietet er eine hervorragende Leistung mit niedrigem On-Widerstand und hoher Verlustleistung. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 7,3 A und einer Drain-Source-Spannung von 30 V eignet sich dieses Bauteil für die Automatisierung, Elektronik und andere technische Umgebungen, in denen Effizienz und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger RDS(on) erhöht die Energieeffizienz
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W
• Gate-Schwellenspannung von nur 1V
• Entwickelt für oberflächenmontierte Anwendungen zur Optimierung des Platzbedarfs
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Reaktionsfähigkeit des Systems

Anwendungsbereich


• Verwendet in Energiemanagementsystemen
• Geeignet für Motorsteuerung
• Häufig in Kfz-Schaltelementen verwendet
• Wird in Stromversorgungsschaltungen verwendet
• Anwendbar in Telekommunikationsgeräten

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf die Effizienz der Schaltung aus?


Der niedrige RDS(on) reduziert die Leistungsverluste durch den Baustein, erhöht die Gesamteffizienz der Schaltung und minimiert die Wärmeentwicklung.

Bei welchen Temperaturen kann dieser MOSFET betrieben werden?


Er arbeitet effektiv in einem Bereich von -55°C bis +150°C und ist damit vielseitig für verschiedene Umgebungsbedingungen einsetzbar.

Welche Bedeutung hat die Gate-Schwellenspannung?


Eine niedrige Gate-Schwellenspannung erleichtert die Steuerung des MOSFETs, so dass er sich bei niedrigeren Eingangssignalen einschalten kann und die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungen verbessert wird.

Kann dieser MOSFET gepulste Ströme verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 58 A bewältigen und eignet sich für Anwendungen, die kurze Stromstöße benötigen.

Welche Herstellungsverfahren gewährleisten seine Zuverlässigkeit?


Fortschrittliche Verarbeitungstechniken werden eingesetzt, um einen niedrigen On-Widerstand und ein robustes Bauelementedesign zu erreichen und so eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu gewährleisten.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links