STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin STP18NM60N TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-0051
- Herst. Teile-Nr.:
- STP18NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
0,93 €
(ohne MwSt.)
1,11 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 505 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,93 € |
| 10 - 99 | 0,80 € |
| 100 - 499 | 0,62 € |
| 500 - 999 | 0,52 € |
| 1000 + | 0,43 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0051
- Herst. Teile-Nr.:
- STP18NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 285mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 285mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.75mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal 3-Pin STP18N60M2
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220