Vishay Si4190ADY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

View all MOSFET

Subtotal (1 pack of 5 units)*

6,62 €

(exc. VAT)

7,88 €

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Auf Lager
  • 2.030 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
Per Pack*
5 +1,324 €6,62 €

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
787-9235
Mfr. Part No.:
SI4190ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4190ADY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.4nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Related links