Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 19 A 6 W, 8-Pin SI4840BDY-T1-GE3 SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
SI4840BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.012Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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