Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 787-9027
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4946BEY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
10,54 €
(ohne MwSt.)
12,545 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,108 € | 10,54 € |
| 50 - 120 | 1,79 € | 8,95 € |
| 125 - 245 | 1,688 € | 8,44 € |
| 250 - 495 | 1,582 € | 7,91 € |
| 500 + | 1,474 € | 7,37 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9027
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4946BEY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.7W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.7W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.55mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SO-8
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC