Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-7732
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4946BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
13,60 €
(ohne MwSt.)
16,20 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,36 € | 13,60 € |
| 100 - 240 | 1,291 € | 12,91 € |
| 250 - 490 | 1,088 € | 10,88 € |
| 500 - 990 | 0,884 € | 8,84 € |
| 1000 + | 0,746 € | 7,46 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7732
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4946BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.052Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.052Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Vishay MOSFET
Der Vishay SMD-Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 41 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Dauerstrom von 6,5 A und eine maximale Nennleistung von 3,7 W. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
Verwandte Links
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SO-8
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt SI7216DN Typ N-Kanal 8-Pin PowerPack
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8