Vishay Siliconix TrenchFET SiZ348DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

RS Best.-Nr.:: 178-3932
Herst. Teile-Nr.:: SiZ348DT-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiZ348DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

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RS Best.-Nr.:: 178-3932
Herst. Teile-Nr.:: SiZ348DT-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAIR 3 x 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	10 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	2.4V
Verlustleistung max.	16,7 W
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +20 V
Breite	3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12,1 nC @ 10 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	0.75mm

Vishay Siliconix TrenchFET SiZ348DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

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