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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay Siliconix
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	80 A
	Drain-Source-Spannung max.	25 V
	Gehäusegröße	1212
	Serie	TrenchFET
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	1 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
	Verlustleistung max.	65,7 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-12 V, +16 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Breite	3.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	55 nC @ 10 V
	Länge	3.15mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.1V
	Höhe	1.07mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Vishay Siliconix
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 80 A
	Drain-Source-Spannung max. 25 V
	Gehäusegröße 1212
	Serie TrenchFET
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.2V
	Verlustleistung max. 65,7 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Breite 3.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 55 nC @ 10 V
	Länge 3.15mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.1V
	Höhe 1.07mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Datasheet

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

MERKMALE
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch
verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert
Leistungsverlust beim Schalten
ANWENDUNGEN
Synchrone Gleichrichtung
Synchroner Abwärtswandler
DC/DC mit hoher Leistungsdichte
OR-Schaltung
Schalten von Lasten

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 80 A 65,7 W, 8-Pin 1212

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