Vishay Siliconix TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3920
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Voraussichtlich ab 29.08.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
0,81 €
(ohne MwSt.)
0,96 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 90 | 0,81 € | 8,10 € |
| 100 - 490 | 0,689 € | 6,89 € |
| 500 - 990 | 0,606 € | 6,06 € |
| 1000 + | 0,528 € | 5,28 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 178-3920
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 65,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 3.15mm |
| Länge | 3.15mm |
| Höhe | 1.07mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
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