Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.071,00 €

(ohne MwSt.)

1.275,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,357 €1.071,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-3702
Herst. Teile-Nr.:
SiZ348DT-T1-GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

16.7W

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

3 mm

Länge

3mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis

Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen

Verwandte Links