Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
919-4195
Herst. Teile-Nr.:
SI4946BEY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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