Vishay SiS892ADN Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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787-9399
Herst. Teile-Nr.:
SIS892ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

SiS892ADN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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