Vishay SIS892ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 165-6981
Herst. Teile-Nr.:: SIS892ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIS892ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 165-6981
Herst. Teile-Nr.:: SIS892ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	28 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	47 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	52 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	3.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	3.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12,8 nC @ 10 V
Höhe	1.12mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C