DiodesZetex Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.7 A 1.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
790-4592
Herst. Teile-Nr.:
DMN3018SSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

3.95 mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Höhe

1.5mm

Länge

4.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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