Toshiba TPC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 1.9 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 796-5115
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC8125
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TPC8125
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | TPC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.52mm | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie TPC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.52mm | ||
Breite 3.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||