Toshiba Isoliert TPC Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5.1 A 1.5 W, 8-Pin SOP TPC8227-H,LQ(S
- RS Best.-Nr.:
- 796-5128
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC8227-H,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
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- TPC8227-H,LQ(S
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | TPC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.52mm | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie TPC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.52mm | ||
Breite 3.9 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-MOSFET N-Kanal, Serie TPC, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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