Vishay Si1416EDH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 2.8 W, 6-Pin Si1416EDH-T1-GE3 SC-88

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RS Best.-Nr.:
812-3063
Herst. Teile-Nr.:
Si1416EDH-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

Si1416EDH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

77mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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