Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363

RS Best.-Nr.:: 812-3063
Herst. Teile-Nr.:: Si1416EDH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,9 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOT-363
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	77 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	2,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	2.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,5 nC bei 10 V
Breite	1.35mm
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

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Herst. Teile-Nr.:: Si1416EDH-T1-GE3
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Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363

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N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

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