Vishay Si2338DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
812-3126
Herst. Teile-Nr.:
Si2338DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si2338DS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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