Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
812-3132
Herst. Teile-Nr.:
SI2366DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si2366DS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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