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    Infineon OptiMOS P IPB180P04P403ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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    5000 +1,527 €1.527,00 €

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    RS Best.-Nr.:
    857-8674
    Herst. Teile-Nr.:
    IPB180P04P403ATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.180 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    SerieOptiMOS P
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl7
    Drain-Source-Widerstand max.2,8 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.150 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs190 nC @ 10 V
    Breite9.25mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe4.4mm

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