Infineon OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 897-7412
Herst. Teile-Nr.:: IPP111N15N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 4)

4,883 €

(ohne MwSt.)

5,811 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
4 - 16	4,883 €	19,532 €
20 - 36	4,64 €	18,56 €
40 - 96	4,443 €	17,772 €
100 - 196	4,248 €	16,992 €
200 +	3,955 €	15,82 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 897-7412
Herst. Teile-Nr.:: IPP111N15N3GXKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	83 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	11,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	214 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.57mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	41 nC @ 10 V
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm