Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 900-9964
Herst. Teile-Nr.:: CSD19534KCS
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 900-9964
Herst. Teile-Nr.:: CSD19534KCS
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	NexFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	118 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17,1 nC @ 0 V
Breite	4.7mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	16.51mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V

Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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