Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 37 A 40.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-2956
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-433
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA105N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-433
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA105N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Breite 4.85 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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